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Technische Details PMGD780SN,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMGD780SN,115 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMGD780SN/SOT363/SC-88 |
auf Bestellung 37679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD780SN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMGD780SN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PMGD780SN.115 Multi channel transistors |
auf Bestellung 1654 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PMGD780SN,115 |
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