PMPB215ENEAX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMPB215ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMPB215ENEAX nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB215ENEAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB215ENEAX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220 |
auf Bestellung 17187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB215ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB215ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
PMPB215ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| PMPB215ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
PMPB215ENEAX SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |