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Technische Details PMV213SN,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMV213SN,215 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.07 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PMV213SN,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V |
auf Bestellung 246000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 7.6A Power dissipation: 2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 575mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 7.6A Power dissipation: 2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 575mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : Nexperia | MOSFETs PMV213SN/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 238937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V |
auf Bestellung 254111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.213 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 37053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 37053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : NXP |
N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV213SN,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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