auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10000+ | 0.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMZ320UPEYL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMZ320UPEYL nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZ320UPEYL | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 400000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
auf Bestellung 33886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMZ320UPE/SOT883/XQFN3 |
auf Bestellung 39827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Mounting: SMD Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: -30V Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Mounting: SMD Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: -30V |
Produkt ist nicht verfügbar |