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PMZ350UPEYL

PMZ350UPEYL Nexperia

4380240375791274pmz350upe.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
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Technische Details PMZ350UPEYL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia USA Inc. PMZ350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
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672+0.23 EUR
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
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677+ 0.2 EUR
953+ 0.13 EUR
1249+ 0.097 EUR
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia PMZ350UPE-2938839.pdf MOSFET PMZ350UPE/SOT883/XQFN3
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Mindestbestellmenge: 5
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia USA Inc. PMZ350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4202 Stücke:
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : NEXPERIA 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
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PMZ350UPEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMZ350UPEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Hersteller : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
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