QH8MB5TCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
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Technische Details QH8MB5TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n- und p-Kanal, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote QH8MB5TCR nach Preis ab 0.58 EUR bis 1.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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QH8MB5TCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QH8MB5TCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 40V N&P-CHANNEL |
auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QH8MB5TCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QH8MB5TCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034 productTraceability: No Wandlerpolarität: n- und p-Kanal Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QH8MB5TCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |