QS6K21FRATR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details QS6K21FRATR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote QS6K21FRATR nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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QS6K21FRATR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 950mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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QS6K21FRATR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg |
auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS6K21FRATR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6K21FRATR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| QS6K21FRATR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
QS6K21FRATR Multi channel transistors |
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