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QSE114

QSE114 ON Semiconductor

qse114-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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Technische Details QSE114 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s), tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Abstrahlwinkel: 50°, Bauform - Transistor: -, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code.

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QSE114 QSE114 Hersteller : ON Semiconductor qse114-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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QSE114 QSE114 Hersteller : onsemi FAIR-S-A0001351863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
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QSE114 QSE114 Hersteller : ON Semiconductor qse114jp-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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QSE114 QSE114 Hersteller : ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
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QSE114 QSE114 Hersteller : ON Semiconductor qse114-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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QSE114 QSE114 Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild QSE114-1306896.pdf Phototransistors 1mA PHOTO TRANS
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QSE114 QSE114 Hersteller : ON Semiconductor qse114-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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