R6020JNJGTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details R6020JNJGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 252W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 252W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6020JNJGTL nach Preis ab 3.75 EUR bis 7.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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R6020JNJGTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications. |
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R6020JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
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R6020JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020JNJGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 252W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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R6020JNJGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| R6020JNJGTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 234mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 252W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Gate charge: 45nC Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| R6020JNJGTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 234mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 252W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Gate charge: 45nC Case: D2PAK |
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