RA73F1J475RBTDF

RA73F1J475RBTDF TE Connectivity / Holsworthy


ENG_DS_1773270_3_A-2899722.pdf Hersteller: TE Connectivity / Holsworthy
Thin Film Resistors - SMD RA73F 1J 475R 0.1% 1K RL
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Technische Details RA73F1J475RBTDF TE Connectivity / Holsworthy

Description: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RA73F1J475RBTDF - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 475 ohm, ± 0.1%, 500 mW, 0603 [Metrisch 1608], tariffCode: 85332100, rohsCompliant: YES, Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608], Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Nennleistung: 500mW, Widerstandstyp: Leistungsstark, präzise, Widerstand: 475ohm, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -55°C, Widerstandstoleranz: ± 0.1%, Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C, Produktlänge: 1.55mm, euEccn: NLR, Produktpalette: RA73 Series, productTraceability: No, Nennspannung: 75V, Betriebstemperatur, max.: 155°C, Produktbreite: 0.8mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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RA73F1J475RBTDF RA73F1J475RBTDF Hersteller : HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY 3672578.pdf Description: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RA73F1J475RBTDF - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 475 ohm, ± 0.1%, 500 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Leistungsstark, präzise
Widerstand: 475ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RA73 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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