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RBQ10RSM65BTL1

RBQ10RSM65BTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RBQ10RSM65B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 65V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
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Technische Details RBQ10RSM65BTL1 Rohm Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 65V 10A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V.

Weitere Produktangebote RBQ10RSM65BTL1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 1.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RBQ10RSM65BTL1 RBQ10RSM65BTL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RBQ10RSM65B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode 65V, 10A, TO-277GE, Low VF SBD
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RBQ10RSM65BTL1 RBQ10RSM65BTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10RSM65B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 65V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
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