RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 39+ | 4.05 EUR |
| 50+ | 3.76 EUR |
| 100+ | 3.49 EUR |
| 250+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.04 EUR |
| 1000+ | 2.84 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 80A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Case: DPAK; TO252, On-state resistance: 8.1mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 119W, Gate charge: 71nC, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote RD3L08BGNTL nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications. |
auf Bestellung 2721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 119W Gate charge: 71nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 119W Gate charge: 71nC |
Produkt ist nicht verfügbar |