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RF6L025BGTCR ROHM Semiconductor

Name: RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 31182168-4
Price: 0.21 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET 60V N-CHAN

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Technische Details RF6L025BGTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	RF6L025BGTCR	Hersteller : ROHM	Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
	RF6L025BGTCR	Hersteller : ROHM	Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)