RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor
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Technische Details RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.55V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote RFN10BGE6STL nach Preis ab 1.05 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RFN10BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching Si 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFN10BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
auf Bestellung 2013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFN10BGE6STL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY DIODE |
auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFN10BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFN10BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFN10BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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