RFUH20TF6SC9 Rohm Semiconductor
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Technische Details RFUH20TF6SC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220NFM, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote RFUH20TF6SC9 nach Preis ab 1.13 EUR bis 5.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RFUH20TF6SC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 600V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube |
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RFUH20TF6SC9 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE-RECTIFIER |
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RFUH20TF6SC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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