RFV8BGE6STL

RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Technische Details RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.8V, Sperrverzögerungszeit: 45ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RFV8BGE6STL nach Preis ab 1.11 EUR bis 2.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode
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RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Hersteller : ROHM datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.8V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Hersteller : ROHM datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.8V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2496 Stücke:
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