RGW50TK65DGVC11 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 10.03 EUR |
10+ | 8.43 EUR |
30+ | 8.17 EUR |
120+ | 6.81 EUR |
270+ | 6.6 EUR |
510+ | 6.05 EUR |
1020+ | 4.88 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGW50TK65DGVC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns, Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 73 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 67 W.
Weitere Produktangebote RGW50TK65DGVC11 nach Preis ab 6.86 EUR bis 10.1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGW50TK65DGVC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 67 W |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||
RGW50TK65DGVC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |