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RJ1P04BBHTL1

RJ1P04BBHTL1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET NCH 100V 80A
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Technische Details RJ1P04BBHTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 Hersteller : ROHM rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 Hersteller : ROHM rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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RJ1P04BBHTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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RJ1P04BBHTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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100+ 2.36 EUR
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