RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.15 EUR |
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| 9000+ | 0.13 EUR |
| 30000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RJU003N03FRAT106 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RJU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101 |
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RJU003N03FRAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V |
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RJU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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RJU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RJU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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