RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package.
Weitere Produktangebote RN1108MFV,L3F nach Preis ab 0.057 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RN1108MFV,L3F | Hersteller : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package |
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RN1108MFV,L3F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
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