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Technische Details RQ3G150GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8, Power dissipation: 20W, Case: HSMT8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 60A, Gate charge: 24.1nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 39A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.9mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote RQ3G150GNTB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RQ3G150GNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
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| RQ3G150GNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8 Power dissipation: 20W Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Gate charge: 24.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.9mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RQ3G150GNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
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| RQ3G150GNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8 Power dissipation: 20W Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Gate charge: 24.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.9mΩ |
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