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RQ5C030TPTL

RQ5C030TPTL ROHM Semiconductor

rq5c030tptl-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO
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Technische Details RQ5C030TPTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Hersteller : ROHM rq5c030tptl-e.pdf Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 1W
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
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RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Hersteller : Rohm Semiconductor rq5c030tptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
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RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Hersteller : ROHM rq5c030tptl-e.pdf Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-346T
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Hersteller : Rohm Semiconductor rq5c030tptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
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