RSF010P05TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
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Technische Details RSF010P05TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.33 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.
Weitere Produktangebote RSF010P05TL nach Preis ab 0.28 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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RSF010P05TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
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RSF010P05TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.33 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
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RSF010P05TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
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RSF010P05TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.33 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
auf Bestellung 2101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSF010P05TL |
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| RSF010P05TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -1A; Idm: -4A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -1A Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RSF010P05TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -1A; Idm: -4A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -1A Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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