RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor
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Technische Details RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSF015N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.
Weitere Produktangebote RSF015N06FRATL nach Preis ab 0.31 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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RSF015N06FRATL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 60V Vds 1.5A 0.255Rds(on) 2Qg |
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RSF015N06FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
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RSF015N06FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
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| RSF015N06FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RSF015N06FRATL SMD N channel transistors |
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RSF015N06FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 |
Produkt ist nicht verfügbar |