RV8C010UNHZGG2CR ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive.
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Technische Details RV8C010UNHZGG2CR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.
Weitere Produktangebote RV8C010UNHZGG2CR
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RV8C010UNHZGG2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm |
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RV8C010UNHZGG2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm |
auf Bestellung 6850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RV8C010UNHZGG2CR | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W |
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