RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor
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Technische Details RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.
Weitere Produktangebote RV8L002SNHZGG2CR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET SS MOSFET 60V NCH |
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
auf Bestellung 5245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 1W; DFN1010-3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: DFN1010-3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 1W; DFN1010-3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: DFN1010-3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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