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Technische Details SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SCT3017ALGC11 nach Preis ab 161.3 EUR bis 185.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SCT3017ALGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTURPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V Power Dissipation (Max): 427W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V |
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SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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| SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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