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Technische Details SCT3040KRC15 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 262W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SCT3040KRC15 nach Preis ab 32.56 EUR bis 41.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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SCT3040KRC15 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SCT3040KRC15 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 262W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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