SI1016CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI1016CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI1016CX-T1-GE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR |
auf Bestellung 98578 Stücke: Lieferzeit 52-56 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
auf Bestellung 48547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 37080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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