Si1078X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details Si1078X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.02, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote Si1078X-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1078X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.02 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SI1078X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si1078X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.02A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.24W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1078X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R |
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Si1078X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
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Si1078X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
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| Si1078X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.02A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.24W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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