auf Bestellung 15648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 1.13 EUR |
10+ | 0.99 EUR |
100+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.56 EUR |
1000+ | 0.49 EUR |
2500+ | 0.42 EUR |
5000+ | 0.4 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4153DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4153DY-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY | SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SI4153DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |