SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 22A, On-state resistance: 6.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±16V, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7108DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.7 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7108DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8 |
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| SI7108DN-T1-GE3 |
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auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7108DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 22A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7108DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V |
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| SI7108DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 22A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A |
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