SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 1.48 EUR |
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Technische Details SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.245 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7115DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 2325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 8382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
auf Bestellung 6748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.245 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 19216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7115DN-T1-GE3 Produktcode: 102378 |
Hersteller : Vishay |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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| SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SI7115DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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