SIA112LDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V
MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 10935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 1.13 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.42 EUR |
| 6000+ | 0.4 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIA112LDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 8.8A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 15.6W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIA112LDJ-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 15.6W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 15.6W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |