SIHD690N60E-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SIHD690N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 11A, Power dissipation: 62.5W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHD690N60E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SIHD690N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHD690N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHD690N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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