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SIJA22DP-T1-GE3

SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sija22dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
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Technische Details SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: To Be Advised.

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SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sija22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
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SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sija22dp.pdf MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S)
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100+ 0.98 EUR
500+ 0.88 EUR
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SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3166315.pdf Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised
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SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3166315.pdf Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised
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SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sija22dp.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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