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Technische Details SIZ342DT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIZ342DT-T1-GE3 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 3.6W, 4.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 3.6W, 4.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
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| SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 15.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIZ342DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 15.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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