SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 9+ | 8.28 EUR |
| 12+ | 5.99 EUR |
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Technische Details SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 11A, On-state resistance: 0.29Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 227W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Case: PG-TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SPW17N80C3 nach Preis ab 4.42 EUR bis 8.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SPW17N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO247-3 |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW17N80C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 |
auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW17N80C3 Produktcode: 38747 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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