STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
Hersteller: Gehäuse: D PAK
Vces: 410
Vce: 01.02.2015
Ic 25: 20
Ic 100: 10
verfügbar 88 Stück:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 1.58 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level Application: ignition systems Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level Application: ignition systems |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 108-112 Tag (e) |
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| STGB10NB37LZT4 |
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auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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| STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB10NB37LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W |
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| NGD8201ANT4G Produktcode: 170166 |
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Hersteller: ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: DPAK
Vces: 440 V
Vce: 1,3 V
Ic 25: 20 A
Pd 25: 125 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 1,5/8
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: DPAK
Vces: 440 V
Vce: 1,3 V
Ic 25: 20 A
Pd 25: 125 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 1,5/8
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| 68uF 400V EHP 22x25mm (EHP680M2GBA-Hitano) Produktcode: 3493 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EHP
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 22x25mm
Lebensdauer: 22х25mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EHP
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 22x25mm
Lebensdauer: 22х25mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 183 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 1.26 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 220uF 250V ELP 22x30mm (ELP221M2EBA-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2950 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 1.4 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 12 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2109 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 12 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 12 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 19282 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.0038 EUR |
| 100+ | 0.0024 EUR |
| 1000+ | 0.0017 EUR |
| IRLML2402TRPBF Produktcode: 1173 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 8141 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |