STP105N3LL

STP105N3LL STMicroelectronics


en.DM00071078.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
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Technische Details STP105N3LL STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

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STP105N3LL STP105N3LL Hersteller : STMicroelectronics stp105n3ll-1851593.pdf MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
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STP105N3LL Hersteller : STMicroelectronics 2151827833471660dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP105N3LL Hersteller : STMicroelectronics en.DM00071078.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
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On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
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