STU7N65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
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Technische Details STU7N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STU7N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STU7N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STU7N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STU7N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STU7N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V |
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| STU7N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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