TDTC123J,LM(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1520+ | 0.047 EUR |
| 2170+ | 0.033 EUR |
| 2460+ | 0.029 EUR |
| 2830+ | 0.025 EUR |
| 2980+ | 0.024 EUR |
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Technische Details TDTC123J,LM(T TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.32W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 250MHz, Base resistor: 2.2kΩ, Base-emitter resistor: 47kΩ, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.
Weitere Produktangebote TDTC123J,LM(T nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.047 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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TDTC123J,LM(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
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| TDTC123J,LM(T | TDTC123J,LM(T Транзисторы |
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TDTC123J,LM(T | Hersteller : Toshiba |
Silicon NPN Epitaxial Type |
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