Produkte > TOSHIBA > TK090U65Z,RQ
TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ Toshiba

TK090U65Z_datasheet_en_20201023-2005164.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.76 EUR
10+ 5.1 EUR
25+ 5.09 EUR
100+ 4.49 EUR
250+ 4.47 EUR
500+ 4.21 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK090U65Z,RQ Toshiba

Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.

Weitere Produktangebote TK090U65Z,RQ nach Preis ab 3.44 EUR bis 8.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+6.5 EUR
26+ 5.82 EUR
100+ 4.83 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+6.5 EUR
26+ 5.82 EUR
100+ 4.83 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.45 EUR
10+ 7.1 EUR
100+ 5.74 EUR
500+ 5.1 EUR
1000+ 4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar