TK25A60X,S5X(M Toshiba
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Technische Details TK25A60X,S5X(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote TK25A60X,S5X(M nach Preis ab 5.15 EUR bis 5.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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TK25A60X,S5X(M | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
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TK25A60X,S5X(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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TK25A60X,S5X(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
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