TK28E65W,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45 Stücke:
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Technische Details TK28E65W,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TK28E65W,S1X(S | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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