Produkte > TOSHIBA > TK3A65D
TK3A65D

TK3A65D TOSHIBA


TK3A65D.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.25 EUR
29+ 2.46 EUR
50+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK3A65D TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3A, Power dissipation: 35W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.93Ω, Mounting: THT, Gate charge: 11nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote TK3A65D nach Preis ab 3.25 EUR bis 3.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TK3A65D TK3A65D Hersteller : TOSHIBA TK3A65D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22