TK9J90E,S1E(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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| 15+ | 4.85 EUR |
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Technische Details TK9J90E,S1E(S TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Mounting: THT, Power dissipation: 250W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 46nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO3PN, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, On-state resistance: 1.3Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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TK9J90E,S1E(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Mounting: THT Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO3PN Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK9J90E,S1E(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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