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TN5325K1-G

TN5325K1-G Microchip Technology

20005709A.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
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Technische Details TN5325K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology supertex_tn5325-1181187.pdf MOSFET 250V 7Ohm
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : MICROCHIP MCHP-S-A0002943064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : MICROCHIP MCHP-S-A0002943064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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TN5325K1-G Hersteller : Supertex 20005709A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN5325.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 150mA; Idm: 0.4A; 360mW
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN5325K1-G TN5325K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN5325.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 150mA; Idm: 0.4A; 360mW
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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