TP65H035G4QS-TR TRANSPHORM
Hersteller: TRANSPHORMDescription: TRANSPHORM - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details TP65H035G4QS-TR TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 22nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TP65H035G4QS-TR | Hersteller : Transphorm |
MOSFET GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
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