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Technische Details TPH1400ANH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote TPH1400ANH,L1Q(M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TPH1400ANH,L1Q(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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TPH1400ANH,L1Q(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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TPH1400ANH,L1Q(M | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R |
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